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새해 LED 시장서 '질화갈륨온실리콘' 웨이퍼 양산 기술 개발 가열... 삼성 첫 시생산 라인 구축
작성자 웨스트팩 날짜 12-12-21 17:09
삼성전자가 새해 8인치 '질화갈륨온실리콘(GaN-on-Si)' 웨이퍼 시험 생산 라인을 구축한다. LG이노텍과 LG실트론은 관계사간 협력을 통해 질화갈륨온실리콘 웨이퍼 개발에 박차를 가하고 있다. 양사의 기술 개발 경쟁이 달아오르면서 질화갈륨온실리콘 웨이퍼가 사파이어 웨이퍼를 언제 대체할 수 있을지 관심이다.
 18일 업계에 따르면 삼성전자는 새해 8인치 질화갈륨온실리콘 웨이퍼 제조 파일럿 라인을 건설할 계획이다. 질화갈륨온실리콘은 현재 사파이어 웨이퍼보다 생산 원가를 획기적으로 낮출 수 있는 유력한 대체 소재로 꼽힌다. 삼성전자는 세계적으로 선도 업체가 아직 없는 만큼 시장 선점을 위해 이른 시일 내 양산체계를 갖출 것으로 예상된다. 박영수 삼성전자 종합기술원 상무가 최근 전무로 승진한 점도 질화갈륨온실리콘 사업에 대한 강한 의지를 보여주는 대목이다. 박 전무는 관련 양산기술 개발에 성공해 LED 시장 조기 선점 기반을 구축한 공로를 인정받은 것으로 전해졌다. 삼성전자측은 "아직 파일럿 라인 도입시점이 최종 결정되지 않았지만 질화갈륨온실리콘이 웨이퍼 기술의 대세인 것은 맞다"면서 "지속적으로 연구개발을 진행할 계획"이라고 말했다.
 
 LG실트론과 LG이노텍은 질화갈륨온실리콘 웨이퍼 양산 기술을 확보하기 위해 공동 연구개발을 추진 중인 것으로 알려졌다. LG실트론은 미국 비코로부터 질화갈륨 유기금속화학증착기(MOCVD)를 도입하고 웨이퍼 개발에 착수한 바 있다. MOCVD는 '터보디스크 K465i' 모델로 실리콘 웨이퍼에 질화갈륨 단결정막을 성장시키는 설비다.

 업계는 질화갈륨온실리콘 웨이퍼 상용화를 위한 양사간 경쟁이 향후 더욱 치열해질 것으로 내다봤다. 최근에는 미국 LED 전문업체 브릿지룩스가 일본 도시바와 협력해 8인치 질화갈륨온실리콘 LED 칩 개발에 성공했다고 발표하기도 했다.

 남정호 SNE리서치 상무는 "삼성과 LG뿐 아니라 오스람, 필립스 등 세계 유수 LED 업체들도 질화갈륨온실리콘 연구개발을 추진 중"이라며 "높은 기술력이 필요한 만큼 상용 제품이 나오기까지는 앞으로 1~2년 정도 시간이 필요할 것"이라고 말했다.

 ◇질화갈륨온실리콘=발광다이오드(LED)는 보통 사파이어 웨이퍼를 이용해 만든다. 사파이어 웨이퍼는 고온에 강한 반면에 기판을 크게 만들고 어렵고 가격이 높다는 단점이 있다. 문제 해결을 위해 비교적 저렴한 실리콘 웨이퍼에 질화갈륨(GaN) 단결정막을 성장시킨 게 질화갈륨온실리콘 웨이퍼다. 칩으로 제조했을 때 사파이어 웨이퍼보다 약 30% 가격이 낮은 것으로 평가받는다.

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